— 295 — 



ше1йп (;\, е'', п е^, такъ какъ гш одна пзъ отнхъ г)11С])пп въ кристалл Ь не 

 является постоянной, пбо на одна пзъ нпхъ не является просто11 Функцией 

 массы вещества. 



9. Очевидно, въ этпхъ услов1яхъ ^жгь свободной энергги будешь гпратъ 

 та изо фо2^.Уо энсрыи кристалла^ которая является максимальной. Ею 

 будетъ обусл(1влпваться крпсталлпзащя вещества прп отсутств1п в1гЬш- 

 пей свободной энерпп. Каюя бы пзмЬпеп1я нп пропсходплп въ другпхъ Фор- 

 махъ унергш, надо преДположптЕ>, что раньше всего — прп благопр^ятпыхъ 

 услов1яхъ — пропзойдетъ выравппванхе энерпй разнаго характера, своп- 

 ствепныхъ кристаллу, т. е. е\ , ь^^ п е^ . Еслп е^ > е, , то процессъ крп- 

 сталлизапдп будеть совершаться, главньшъ образомъ, иасчеть поверхностной 

 знерпп, всегда пепзбЬжно присутствующей въ даппомъ тЬл1;, и будетъ 

 обусловливаться ея свойствамп. Въ такомъ случаГ, поверхность кристалла — 

 вообще говоря (ср. § 1 1 ел.) — долнага бьггь минимальная возможная, п процессъ 

 ея уменьшеп1Я долженъ пдтп до тЬхъ поръ, пока е^ не станетъ равной е,. 

 Но такъ какъ е^ не является простой энерпей массы, а связана съ распо- 

 ложетемъ векторовъ въ кристаллахъ, то п по достпжепга состоян1я е^ = е^, 

 возможна дальнейшая работа въ системе, въ зависимости отъ того, каюя 

 отношеп1я существуютъ — при даппыхъ обстоятельствахъ — между е^, и е*^. 

 Эта работа можегь вызвать новое умепьшен1е эперпп е,, есш при рабог!^ па 

 счетъ е^ или е^^, общая сумма е^ станетъ меньше уже раньше уменьшив- 

 шейся е^. 



Оть отношешя между Формами эперг1п е^^ и е^^ зависитъ появлеп1е прп 

 крпсталлизащи простыхъ мпогограиниковъ или мпогогранниковъ сложпыхъ, 

 главнымъ образомъ, двойпиковъ. Изучение этпхъ случаевъ важно для теор1и 

 двойппковоп крпсталлпзащи п будетъ мною разсмотр-Ьно въ другомъ м1ЬстЬ. 

 Зд^Ьсь же надо заметить, что при аристаллизацш — при отсутствги втъшней 

 свободной энерпй — процессъ будетъ идти на счетъ поверхностной энергги 

 лишь во томо случать, когда е^ >• е,. Только прп этомъ усювш поверхность 

 растущаго кристалла стремится къ т1п1шг1га'у. 



10. Есш е, > е^, то поверхностная эперпя никакого участия въ крп- 

 сталлизащи принимать не можетъ, и кристаллъ будетъ давать явлен1я роста, 

 которьш обусловливаются исключительно внутренней энерпей его частицъ до 

 тЬхъ поръ, пока е^ > е^. При этомъ будутъ получаться явлен1я, также тЬсно 

 связанныя съ двойппковымъ сросташемъ. Для жидкостей этотъ с.чучай не- 

 пзбЬя5но былъ бы случаемъ неустойчиваго равпов-Ьс1я п въ крайнемъ случай 

 могъ бы дать примеры взрьшчатыхъ молекулярныхъ системъ {мпог]я пзъ 

 такъ называемыхъ ложныхъ равнов^с^й), но для кристалловъ въ гЬхъ 



изв1<-г;я П д. Н. 1907. 



