— 298 — 



Наиболее простой случай будетъ представлять поверхностная энерпя 

 плоскости тогда, когда она .обдадаетъ одпимъ векторомъ, р'Ьзко отличаю- 

 щимся по своей величин'Ь отъ всЬхъ остальныхъ векторовъ данной плоскости. 

 На этомъ — напбол'Ье простомъ случа'!^ — мы п остановимся. 



14. Если на данной плоскости есть одинъ векторъ. обладакищй ыаксп- 

 мальной (или минимальной) поверхностной энерпей, то иолонлен]е его не мо- 

 жетъ быть безраз.шчнымъ по отношению къ спмметр1п плоскости. Онъ не 

 можегь наблюдаться на всЬхъ плоскостяхъ, перпендикуляртгхъ къ Х*. Л*, л'', 

 Л* пли къ 3, 4, 6 плоскостямъ симметр1и. Сл-Ьдовательно, нельзя наблюдать 

 ниже указываемыхъ явлений (въ чистомъ вид-Ь) на такпхъ плоскостяхъ. какъ, 

 напр., {001} квадратной с, {0001 ( гексагона-ньной, {111} правильной или 

 {100} правильной с. (кром'Ь случаевъ — Зл^.ЗЬ^ и 4Х^.4Ь^.с. 3-). 



Ес.1и перпендикулярно къ данной плоскости дежитъ плоскость симмет- 

 рш, то этотъ векторъ долженъ быть или пара.11леленъ, или нернендпкуляренъ 

 ея сл-Ьду (иначе онъ не бьиъ бы одинъ). Если плоскость принадлежип. къ 

 зон'Ь X*, то онъ будетъ нараллеленъ или перпендикуляренъ къ Х^ (или со- 

 отв-Ьтствеггао другимъ высшпмъ ося1\]ъ симмеири — по той же причин'Ь). 



Т. к., какъ мы увпдпмъ, изъ свойствъ плоскости легко можно вид'бть 

 положете максимальнаго вектора ея гюверхностной энерпп, то эти выводы 

 являются проверкой излагаемой ниже теории. 



15. Обратимся теперь къ разсмотр^тю этихъ явленш. Будемъ раз- 

 (•.мат1)ивать тоть случай, когда с^ > е^ п когда п'Ьтъ притока вн-Ьшней сво- 

 бодной энерпи (§ 3). Въ такомь с.1уча'Ь перегруппировка вещества при 

 кристаллизащи происходитъ насчеть е^^, а въ кристалл-Ь развиваются плос- 

 кости, положение и размеры которыхъ опред-Ьдяются т'Ьмъ услов1емъ, чтобы 

 носд-Ь пхъ образовашя е^ была наименьшая. 



Однако, когда вся отвечающая этому услов1ю работа произведена, въ 

 спстем'Ь использована еще не вся свободная энсрг1я. Остается та свободная 

 энерпя, которая обусловливается вектор1альнос'пю е^, хотя бы е^ въ сред- 

 немъ и достигла наименьшей, возможной при данныхъ услов1яхъ, величины. 

 Если на какой нибудь плоскости съ такой энерпей е^. но папраплешю ЛВ 

 (рис. 4), «2 пм-Ьегь наибодьп1ую величину, напр. е^"''^''. а по направдешю ЕР 



на нЬкоторыхъ плоскостяхъ энерг1я е^ выражалась эллипсисомъ пли кругодгь, хотя бы вся 

 поверхность была порядка выше 2-го. Этому противорЬчитъ явлеше роста, т. е. неизбежное 

 полное тождество всЬхъ параллелъиыхъ плоскостей кристаллическаго пол1Эдра. Сл-Ьдова- 

 тельно, никакое явлен1е не можетъ быть выражено поверхностью, отд-Ьльиыя с'Ьчен1я которой 

 были бы кругами или эллипсисами, а въ то же время друг1я имъ параллсльныя кривыми бол-бе 

 высокаго порядка. Всякое явление въ кристаллическомъ многог]1анник'Ь дола<но выражаться 

 такой поверхностью, всп параллельныя с4чен1я которой идентичны. 



