Изв'Ьст1я Императорской Академш Наукъ. — 1916. 



(ВиИеЫп (1в ГАсайётхе 1тр4па1в (1в8 Зсхепсез). 



Основной законъ кривталлохим1И. 



Е. С. средорова. 



(Представлено въ зас'бдааш Отд'Ёлешя Физико-Математическпхь Наукъ 3 февраля 1916 г.). 



Матер1алъ, собранный въ предъидущей стать-Ь ^, приводить къ общпмъ 

 выводамъ весьма большого значетя п прежде всего къ установлен1Ю основ- 

 ного закона кристаллохимш, представляющаго чрезвычайное расширен1е 

 закона Гаюи, то есть основного закона кристаллограФ1и. Этотъ законъ 

 требуетъ для своего выражен1Я н-Ькоторыхъ трехъ кристаллограФнческихъ 

 осей, но которыыъ, также какъ въ закон-Ь Гаюи, мы должны определить 

 некоторые единичные отр-Ьзки, и тогда можемъ сказать, что точки, занн- 

 маемыя атомами, есть тонки ращоналышя по отношетю къ этимъ осямг, 

 то есть ихъ три координаты ращональны или, иначе, выражаются отноше- 

 н1емъ цЬлыхъ чиселъ въ единицахъ длины, представленныхъ въ единичныхъ 

 отр-Ьзкахъ. 



Выведенныя правила гласить: 



Знаиеп/е плоскостей (п, комплекоь прежде всего зависитъ отъ наи- 

 большей плотности расположенгя агпомовъ въ параллельныхъ плоскостяхъ. 

 Чтмъ выгае плотность, тгьмъ кристаллографическое значенге плоскостей 

 еыгие (для количественнаго выражеп1я мы иока опытныхь основан1Й не 

 им'Ьемъ). 



1{риста.1ло1рафичсское значете плоскостей усиливается, если въ нихъ 

 расположены разнородные атомы, способные химически притягивать другъ 

 друга. Ш\'л не им'Ьемъ въ хпм1и количественнаго выражения такого взаимнаго 

 прптяжен1Я, но оно очевидно различно, н нужно думать, что усплен1е зна- 

 чения такихъ плоскостей находится въ прямой связи съ усплен1емъ хнмиче- 

 . скаго притяжен1я. 



I См. ИАН. 191С г., стр. 359. 



Изо*ст1Я П. А. Н. 1910. — 43^ — 



