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K.-J. HANSZEN 



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Fig. 1. Locherbildungen in einer SiO-Tragerfolie durch 

 Reaktion mit Kupferoxyd (obenj und mit Eisen (unten) bei 

 hohcn Bestrahlungsintensitaten. 



diesem Grunde kommt z. B. der Temperaturbestim- 

 mung im Elektronenmikroskop durch Beobachtung 

 von Schmelzprozessen und anderen thermischen Um- 

 wandlungen nur ein beschrankter Anwendungsbe- 

 reich zu. 



Ein Beispiel fiir eine Reaktion mit der UnterJage 

 stellt die in Fig. I a wiedergegebene Zerstorung einer 

 SiO-Tragerfolie durch ein Kupfer(I)Oxydpraparat 

 dar, die bei hoheren Bestrahlungsintensitaten ein- 

 tritt. Wiihrend der Reduktion des Oxyds im Elek- 

 tronenstrahl reagiert dieses unter Locherbildung mit 

 der Unterlage. Da iihnliche Erscheinungen auch 

 nach Tempern im Vakuumofen, hier allerdings erst 

 iiber 900'C, d. h. nach vollstandiger Reduktion des 

 Oxyds zu Kupfer beobachtet wurden, liegt es nahe, 

 auch im Elektronenmikroskop einen hauptsachlich 

 durch dicTemperaturerhohungbedingten Reaktions- 

 ablauf anzunehmen, der jedoch durch quanten- 

 bedingte Ursachen friiher in Gang kommen kann, 

 als auf Grund der pauschalen Temperaturerhohung 

 des Praparats zu erwarten ist. Ein weiteres Beispiel 

 fiir die Locherbildung in einer SiO-Unterlage durch 

 Reaktion mit dem Praparat zeigt die Fig. 1 b. Hier 

 haben verdampfende Eisenkiigelchen die Tragerfolie 

 auf ihrem Weg angefressen. 



Von weitaus groBerer Bedeutung ist der EinfluB 

 der erwahnten „K.o\\W-Bedeckiingen auf die Prii- 

 paratveranderungen. Ihre Mitwirkung bei den tem- 

 peraturbedingten Umwandlungen wurde durch Va- 

 kuumtempern von Objekten ermittelt, die im Elek- 

 tronenstrahl oder durch Bedampfen mit einer Kohle- 

 deckschicht versehen waren. Durch Vergleich der 

 nach den Erhitzungen im Ofen beobachteten Ver- 

 anderungen mit den im Elektronenmikroskop durch 

 die Elektronenbestrahlung hervorgerufenen Schaden 

 konnten Ruckschlusse auf den EinfluB der Bedek- 



Fig. 2. Zerstorung einer 100 A dicken Silberaufdampfschicht 

 auf SiO-Unteriage durch Tempern im Vakuumofen. Linke 

 Spalte: unbedeckte Schichten; oben: nach Tempern auf 

 200 C; unten: auf 500'C. Rechte Seite: Schichten mit einer 

 im Elektronenmikroskop entstandenen Kohlebedeckung: 

 oben: nach Tempern auf 200 C; unten: auf 500 C. 



kungen bei den Veranderungen im Elektronenmikro- 

 skop gezogen werden. 



Fig. 2 zeigt in der linken Spalte 5/7/)t^raufdampf- 

 schichten, die vor der elektronenmikroskopischen 

 Aufnahme einer kurzzeitigen Erhitzung unterworfen 

 waren. Auf Grund von Adsorptionsschichten auf 

 der Unterlage und der Schicht selbst besitzen die 

 Atome an den Oberflachen der Silberpartikel eine 

 so groBe Beweglichkeit, daB sich die Teilchen bei den 

 Erhitzungen auf die angegebenen Temperaturen be- 

 reits vollstandig abgerundet haben. 



Ganz anders verhalten sich Praparate, die schon 

 vor dem Tempern dem Elektronenstrahl ausgesetzt 

 waren, also mit .,Kohle" iiberdeckt waren (Fig. 2, 

 rechte Spalte). In diesen Fallen vermag die Kohle 

 die morphologische Schichtstruktur noch bei 200'C 

 praktisch vollstandig zu schiitzen. Bei hoheren Tem- 

 peraturen tritt dagegen eine vermehrte Aggregation 

 der Silberschicht zu groben Klumpen ein. Es sieht 

 so aus, als ob jetzt durch die Kohlebedeckung eine 

 weitere Lockerung der Atome an den Oberflachen 

 der Silberpartikel verursacht wird, die sich in einer 

 gesteigerten Beweglichkeit dieser Atome auswirkt. 

 Fijr die Moglichkeit einer solchen Herabsetzung der 

 Bindungsfestigkeit der Oberflachenatome gegenuber 

 dem Kristallgitter spricht auch die Tatsache, daB 

 selbst in den durch die Bedeckung geschutzten 



