I()3o ACADÉMIE DES SCIENCES. 



irune façon comparable à la crislallisalion d'une solution suisaliirée autour d'un germe. 

 Il semble bien en efiel qu'on soil en présence d'un phénomène de cet ordre, car nous 

 avons pu, sur le conseil de M. Le Clialeiier, empêclier la recalescence de se produire 

 en mettant en contact avec le culot, au moment où commence sa solidification, un 

 germe constitué par un petit fragment d'un culot précédent. 



Dès que les produils siliciés renl'ermeiil plus de n pour loo de silicium, 

 l'observalion du refroidissement permet de reconnaître l'existence d'un 

 eutectique. C'est l'entectique SiPd— Si dont le point de solidification 

 est S-Aj" ainsi que nous l'avons déjà signalé. 



Nous ne pouvons nous étendre ici longuement sur i'e\amen des surfaces 

 polies de ces divers palladiums siliciés. Nous indiquerons cependant qu'il 

 nous a permis de reconnaître riiumogénéité parfaite des produits titrant 11,76 

 et 21, o5 pour 100 de sicilium qui correspondent respectivement à SiPd- 

 cl SiPd. En étudiant des culots à diverses teneurs ayant subi la recalescence 

 et ces mêmes produits trempés avant l'apparition de ce phénomène, nous 

 avons constaté une diUérence de structure intéressante. Dans ce dernier cas 

 on observe toujours deux constituants se distinguant très facilement par 

 l'oxydation à chaud. Ces deux conslituants se révèlent comme très homo- 

 gènes. Lorsque la recalescence a eu lieu, l'un d'eux, le plus oxydable, est 

 parsemé de petits cristaux, dont l'apparition est, dans tous les cas, liée à la 

 production de la recalescence. Ce fait est en accord avec l'hypothèse que , 

 nous avons déjà faite plus haut de la ciii-lallisation d'une solution sursaturée. 



Le silicium libre peut être rais en évidence sur les surfaces polies dès que la teneur 

 en silicium dépasse 21 ,o5 pour 100. A 28 pour 100 de silicium on trouve le sili- 

 ciure SiPd cristallisé au sein de l'eutectique SiPd — Si. Pour les teneurs plus élevées, 

 le silicium cristallise en gros cristaux au sein de ce même eutectique. Dans les culots 

 très riches on ne rencontre plus cet eutectique et le siliciure Si Pd, très homogène, 

 cimente en quelque sorte lus ci istaux de silicium. 



Nous avons pu isoler facilement le siliciure Sil'd eu soumettant à l'action 

 d'une solution de potasse étendue des culots coiilenant plus de 60 pour 100 

 de silicium total. Le silicium libre se dissout rapidement, puis l'attaque se 

 ralentit sans cependant cesser complètement. Mais il est très facile de 

 saisir le moment où le silicium libre a disparu. L(! dégagement gazeux très 

 lent qu'on constate ensuite est dû à une altération lente du siliciure lui- 

 nième. 



Le siliciure SiPd se présente en ju-tits fragments très brillants d'un gris 

 bleuté, d'une densité de 7, h à i.o". U est attaqué à chaud par le fluor et le 

 chlore. Au rouge sombre l'oxygène donne naissance à une oxydation super- 



