SÉANCE DU 3o OCTOBRE 1922. 767 



Au point de vue de la théorie de Bohr, cette analogie de structure des 

 séries optiques et des séries Rontgen s'explique par le fait que les niveaux 

 internes K, L, M, etc. sont respectivement caractérisés par le même nombre 

 total de quanta que les premiers niveaux virtuels extérieurs à la dernière 

 couche électronique. Ces derniers niveaux sont en effet responsables des 

 séries optiques. 



MAGNÉTISME. ~ Les effets axiaux du chamn magnélique, analogues à ceux 

 de Righi-Leduc et de Ettingshausen. Note de M. A. Sellerio, présentée 

 par M. E. Bouty. 



Il y a presque une année (*), en faisant connaître l'effet thermogalva- 

 nique axial, ou parallèle au champ magnétique, analogue à celui de Etting- 

 shausen et Nernst (qui se manifeste dans un champ magnétique if/Yz/?^rr/\srt/), 

 j'ai remarqué qu'on pouvait espérer de découvrir par la môme méthode les 

 analogues axiaux des effets transversaux : 



thermo-thermique ou de Righi et Leduc 



et 



galvano-thermique ou de l^^tlingshausen, 



déjà connus. 



Cette recherche, conduite d'une manière tout à fait pareille à la précé- 

 dente, quoique bien plus pénible — surtout à cause de la petitesse des effets 

 recherchés — a donné un résultat affirmatif. 



En laissant de côté toute particularité, je me borne à dire ici qu'aux 

 deux électrodes C, D, des Notes citées (-), on a substitué, comme 

 à l'ordinaire, les soudures de deux couples thermo-électriques reliées 

 à un galvanomètre différentiel. Je me suis servi encore de la même 

 plaque de bismuth qui — sans doute à cause d'une constitution cristalline 

 très heureuse — s'était révélée singulièrement favorable aux phénomènes 

 axiaux. 



Pour présenter quelque exemple des données de l'expérience, j'ajouterai 

 que l'effet thermo-thermique {^rotation des isothermes) avec plaque 

 parallèle au champ a donné à peu près 1,17 microvolt^o°,o9 C 

 (effet axial), tandis que, avec plaque noi^maleau champ, l'effet (transversal, 

 ou de Righi-Leduc) était 2,12 microvolts. Le premier était donc, dans la 



C) Comptes rendus, t. 173, 192 i, p. 974 et i352. 

 (-) Loc. cit. 



