SÉANCE DU l5 NOVEMBRE 1909. S61 



SnBr-p : Fractionnement par solidijîcation partielle. — l\oo^ de ce «om- 

 posé fondant à 54" ont été soumis à de très lentes cristallisations par refroi- 

 dissement. On a obtenu ainsi, après une série de dix opérations, 2os de 

 produit fondant vers 88° et 18*! de produit fondant vers 27". Tous les dépôts 

 intermédiaires sont d'apparence homogène, très bien cristallisés et pré- 

 sentent des faces cristallines brillantes atteignant parfois 1™'. Les cristaux 

 fondant à 88" ont la composition Snl-'^Br'- ; ceux qui fondent le plus bas : 

 SnI'''Br'-''. Ces chilîres ne sont pas des limites et il est probable qu'en 

 opérant plus longtemps et sur de [)lus fortes quantités «on pourrait pousser 

 plus loin la séparation de I et Br. Une opération analogue, portant sur le 

 composé SnBrP fondant vers io3", a fourni d'une part des cristaux fondant 

 à i2j° : SuP^-Br"'", et une portion fondant bas, vers 76" : Snl-'^Br'''. 

 Enfin on a constaté que le produit SnBr^I ne se laissait qu'avec grand'peine 

 scinder par cristallisation fractionnée. 



Étude du refroidissement de SnBr= P fondu. — A partir de 55° jusqu'& 35°, 

 on a pris 20 points qui fournissent une courbe exponentielle ne présentant 

 aucun point singulier. Il est évident que les cristaux se sont déposés régu- 



ISOV 



SnBr^ 



SnBrV 



SnBr'P 



Sn BrP 



Sri' 



40 30 20 10 



Temps en minutes 



lièrement à toutes les températures et que le produit fondu se comporte 

 comme un mélange (voir Tableau n" 2). 



Points de fusion des mélanges de Snl' + SnBr'. — La courbe a été 



