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L'examen comparatif des différents diagrammes confirme d'abord que, 

 lorsque la teneur en silicium augmente, le point a 3 s'atténue (en s'élevant 

 un peu dans l'échelle des températures) et disparaît avant que la teneur en 

 silicium atteigne 2 pour 100. Quant au point a 2 , il s'abaisse nettement à 

 mesure que la teneur en silicium augmente, tandis qu'au contraire le point 

 a, s'élève, de sorte que les deux points primitivement séparés par un 



Silicium: 0.11 



Tempe rature» 



intervalle de 80" se trouvent confondus dans l'alliage à 3, 16 pour 100 

 de Si. 



Dans l'alliage à 3,94 de Si, on retrouve à nouveau deux points distincts, 

 puis le point supérieur disparaît dans les alliages plus riches (5, 87 et 6,10 

 de Si) qui ne présentent qu'un seul point dont la température s'abaisse 

 progressivement. 



L'étude micrographique et chimique des échantillons, jointe à l'examen 

 des diagrammes et, en particulier, à la considération attentive de l'allure 

 même de chaque perturbation qui est assez caractéristique, nous a conduits 

 à admettre que le déplacement des deux points r/, et a., s'effectuait bien, pour 



