96 



positioner, idet de første fortrinsvis findes, hvor der er mange 

 c4f de sidste. Aarsagen hertil synes at være en dobbelt, deis 

 have de Opløsninger, der fremkaldte Albitdannelsen lettest knnnet 

 finde Vej langs luterpositionerne , dels have disse sidste be- 

 gunstiget Dannelsen af Revner. 



De Albitlameller af denne Art, som følge l.angstladen eller 

 Basis, have altid Form af temmelig regelmæssige, tynde Plader ; 

 derved adskille de sig iøjnefaldende fra de primære Albitlameller 

 efter Langsfladen , som ere korte, tykke og uregelmæssige. 

 Deres Dannelse forstaas uden Vanskelighed, da Langsfladen og 

 Basis , som paa den voksende Krystal have været veludviklede 

 Krystalflader, ofte ere forholdsvis tæ-t belagte med Interpositioner 

 og desuden ere de Retninger, i hvilke Feldspaten lettest 

 spaltes. 



Albitudskillelserne efter Tværfladen ere mere uregelmæssige 

 og ofte tykkere; de svare fuldkomment til dem, man finder i 

 granitiske Pertiter. Ved deres Retning ere de let kendelige fra 

 de oprindelige Albitlameller, da disse aldrig følge Tværfladen. 

 Aarsagen til, at de sekundære Lameller saa ofte følge denne 

 Retning, kendes ikke med Sikkerhed. Den kan ikke ligge i de 

 indesluttede fremmede Smaakrystallers Fordeling ; disse ere 

 ganske vist jævnlig lodrette, men de ligge aldrig samlede i Strøg 

 efter Tværfladen , en Følge af, at denne ikke eller kun ganske 

 underordnet optræder som Krystalflade. Ikke heller kan Aar- 

 sagen søges i Feldspatens Spaltelighed , thi en egenthg Spalte- 

 lighed i denne Retning besidder Feldspat ikke. Derimod ved 

 man , at der hos visse Ortoklasvarieteter — altsaa som Følge 

 af særegne Dannelsesvilkaar — optræder en mere eller mindre 

 udpræget Delelighed efter Tværfladen. Mest paafaldende er 

 dette Forhold som bekendt hos Sanidin, hvor det maa antages 

 at være en Følge af Krystallernes hurtige Afkøling, da man som 

 J. Lehmann har vist M , kunstig kan fremkalde Revner efter 



M Jahresbericht d. Schles. Ges. f. vaterl. Cultur. Sitz. v. 11 Febr. 1S85. 



