1921, No. 6. MISCHKRISTALLE UND RAUMFÜLLUNG DER ATOME. 17 



V ist der Häufigkeitsfaktor der betreffenden Ebene. 



f{rf) ist ein Faktor der darauf beruht, dala die homogenen Strahlen in 

 dem Kristallpulver teilweise absorbiert werden. Bei Kristallen von grofser 

 Dichte wird nur eine dünne Oberflächenschicht für die Reflektion tätig. 

 f{cf) ist dann mit demjenigen Teil der von den Strahlen getroffenen Fläche 

 proportional, welcher von dem betrachteten Punkte auf dem Film sicht- 

 bar ist. 



Ist der Querschnitt des Strahlenbündels etwas grüfser als der Quer- 

 schnitt der Pulverhülle, wird annähernd: 



/' (yi) ^ /i," " r/1 und man bekommt 



sin^y 



sin- cp ' 

 In allen Fällen hat man: I = k v S- F [rp] (5 b) 



Da F [rp] eine kontinuierliche und allmählich variierende Funktion ist, 

 wird es — wenigstens für die einfacheren Kristallgitter — möglich die 

 beobachtete Intensitätsverteilung mit der Theorie zu vergleichen ohne die 

 F (rp) zu kennen. 



Ich habe deshalb nur die Werte von v -S- berechnet. 



Der Strukturfaktor S wird für das angegebene Gitter, wenn wir von 

 der //-Atome absehen, durch den folgenden Ausdruck gegeben: 



b = i\ci+ An e 



Eh 



= i7 + (-i) 7 



Die beobachteten Intensitäten sind durch die Angaben st (stark), 

 m (mittlere Stärke) und s (schwach) bezeichnet. 



Man sieht aus Tabelle 3, dafà die berechneten Werte von v S- den 

 typischen Verlauf der Intensitäts- Verteilung wiedergeben. 



So lange man den Platz der Elektronen nicht bestimmt hat, wird man 

 eine genaue quantitative Übereinstimmung nicht erwarten können. 



Da jetzt die Gitterstruktur von NH^Cl bekannt ist, kann man von dem 

 Spektrum die Seitenlänge des Elementargitters berechnen. Man findet: 



T a b e 1 1 e 4. 



Vid. -Selsk. Skrifter. I. M.N. Kl. 1921. N0.6. 



