<iS  MÉMOIRE 
4f(it.^  ce)  .^^{S,—S,+S}—Ss+Ss~Si+ +  S3„— Sjn+j+etc); 
le  terme  général  S„  e'tant  le  même  que  dans  le  numéro  pré- 
cédent; par  conséquent  on  aura  pour  l'épaisseur  s,  en  un 
point  quelconque  de  cette  splière, 
«=^(A„— A,  + A,— A5+A0— A8+  . .  .  +A3„— A3„+,+etc.); 
le  terme  général  A„  étant  aussi  le  même  que  dans  le  numéro 
précédent. 
En  faisant  ;;.  =  0,  cette  série  donne  z=  h  (o,4G4)-  A  la 
même  distance  du  point  de  contact  sur  l'autre  sphère,  nous 
venons  de  trouver  j^  A  (o,  577);  ainsi  à  100°  du  point  de 
contact,  et  pour  le  cas  où  l'un  des  rayons  est  double  de 
Vautre  ,  l'épaisseur  de  la  couche  électrique  sur  la  grande 
sphère  est  moindre  que  sur  la  petite;  et  en  appelant  é"  le 
rapport  de  cette  valeur  de  j  à  celle  de  ;: ,  on  aura 
é"  =    1,2  38. 
(36,)  Considérons  encoi'e  le  cas  où  l'un  des  rayons  est 
quadruple  de  l'autre.  En  faisant  ^=4)  on  trouvera  que  l'ex- 
pression générale  de  f  (y.,  x)  prend  cette  forme  : 
o([A,  ^)  =  4^ï(U„— U.+U5— U6+U,„-U..+  .  .  .  +U5„— Usn+.+etc.); 
série  dont  le  terme  général  U„  est 
U„  =  [(4  +  «•)'  —  2p.rt  (4  +  n)a;  +  Ji'  x"]~^^ 
et  d'où  l'on  conclut  pour  l'épaisseur  j, 
j  =  4A(C  — C.+a— Q+C.  — C„+  . . .  H-Csa— Cia+.+etc); 
le  terme  général  de  celle-ci  étant 
