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silicium que par la méthode statique, et dans l'appareil que 

 nous avons décrit page 382. On a dû renoncer à se servir de 

 la méthode par ébuUition, parce que le chlorure de silicium 

 attaque facilement les métaux surtout à des températures 

 élevées. 



Les points sont mai'qués n sur la courbe de la planche V. 



Les expériences sur le chlorure de silicium n'ayant été 



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