164 Gesamtsitzimg vom 18. P'ebruar 1915 



(2158), (S(i), (21®), (^®), (6®), 

 PE, OU, RE, UE, VU, 



und in zwei Sättigungspunkten dreier Phasen zusammenstoßen: 



(536®) = U, (21SB®) = E. 



Die Projektionen der Fläehen und Punkte auf die Ebene des 

 Konzentrationsdreiecks A'B'C sind mit gestrichenen Buchstaben be- 

 zeichnet (Fig. la, ib). 



Die Pfeile auf den Sättigungskurven gelten füi- den Abkühlungs- 

 vorgang. 



Die Zusammensetzung der Verbindung G wird durch einen Punkt 

 G' der Seite A'C dargestellt, der außerhalb der Projektion des Sätti- 

 gungsfeldes ®' liegt. Verbindet man ihn mit dem gegenüberliegendeii 

 Punkte B', der die in G nicht enthaltene Komponente B repräsentiert, 

 so können nach der Lage dieses Schnittes G'B' gegen die Projektionen 

 der beiden invarianten Punkte und des Sättigungsfeldes ®' drei wesent- 

 lich verschiedene Anordnungen vorausgesehen werden. 



I. Die Projektion ®' der Sättigungsfläche der Verbindung 

 G wird von dem Schnitt G' B' nicht getroffen (Fig. la, ib). 



Wenn G' B' nur die Felder 53', iS', aber nielit das Feld ®' schneidet 

 (Fig. la, ib), ist die Sättigungskurve der Komponente C und der Ver- 

 bindung G eine Um Setzungskurve VU. Die beiden invarianten Punkte 

 fallen in das Dreieck A'B'G'. Bei der Temperatui- des Punktes U' 

 koexistieren die Lösung U' und Kristalle B, C, G, deren Sättigungs- 

 felder in U zusammenstoßen. Es liegt also U außerhalb des Dreiecks, 

 dessen Eckpunkte die mit der Lösung V im Gleichgewichte stehen- 

 den Kristallarten darstellen: C^ ist ein Umsetzungspunkt. Bei sin- 

 kender Temperatur findet liier die Reaktion statt: 



G-hB C-t- Lösung U'. 



Verbindet man in der Projektion der Sättigungsflächen 21', ^', (E', ®' 

 die Punkte A', B', C, G', U', E', welche die Zusammensetzung der 

 kristallisierten Phasen A, B, C, G und der invarianten Punkte U, E dar- 

 stellen, in der durch Fig. la und ib erläuterten Weise, so erhält man 

 die Strukturfelder des Systems, deren Trennvmgsgeraden ausge- 

 zeichnete Kristallisationsbahnen angeben. Wir erhalten in 21' durch 

 die Trennungslinie A' E' zwei Strukturfelder, in 5Ö' durch B'E', B' U' 

 und B'S' vier, in 6' durch C'U', G' S\ G'V und G' E' sechs, endlich 

 in ®' durch G' E' zwei Felder. In jedes Feld ist als Beispiel die Pro- 

 jektion einer Kristallisationsbahn eingezeichnet. 



Durch B' G' wird A'B'C in zwei Konzentrationsgebiete B'C G' 

 und A' B' G' zerlegt. Der Kristallisationsverlauf ist verschieden, je nach- 



