Lif.biscb: Kristallisationsvorgänge in ternärcn Systemen usw. I iDD 



Fig. la. 



Die Projektion der Sättigungsfläche ©' der Verbindung G 

 wird von dem Schnitt B' G' nicht getroffen. Struktur- 

 felder und Projektionen von Kristallisationsbahnen. 



dem die Konzentration der Lösung durch einen Punkt des einen oder 

 des anderen Gebietes dargestellt wird. Wie aus dem Anblick der in 

 Fig. la, ib gezeichneten Projektionen von Ivristallisationsbalmen her- 

 vorgeht, fäUt der Kristallisationsendpunkt in den Umsetzungs- 

 punkt U, wenn die Bahn von einem Punkte des Gebietes B' C G' 

 ausging, in den eutektischen Punkt E, wenn ihr Ursprung in 

 ÄB'G'\&g\ 



' Über die Konstruktion von Kristallisationsbabnen vgl. \V. C. Geer, Journ. of 

 Phys. CLem. 8, 257. 1904. 



