170 Gesanitsitzung vom 18. Februar 1915 



für die Projektionen von Kristallisationsbahiien, die in diesen Feldern 

 beginnen, sind in Fig. 6, 7a. 7b entlialten. 



Der durch die Punkte G', !>' parallel zur Temperäturachse gelegte 

 Schnitt triflt die Sättigungsfläclie ® in einer Rückenlinie LS, 

 die von Krislullisation-sbahnen nicht überschritten werden kann. Von 

 ihr senkt sich & nach den eutektischen Punkten £",, E^. Auf der diese 

 Punkte verbindenden Sättigungskurve herrscht die höchste Temperatur 

 in .S. Die in den Strukturfeldern von ® beginnenden Kristallisations- 

 balmen (Fig. 6) treiTen nui* eutektische Kui'ven. 



Um die Kristallisationsfolge von Lösungen zu ermitteln, deren 

 Konzentrationen durch Punkte der Projektion des Sättigungs- 

 feldes (£' dargestellt werden, beachten wir folgende Einteilung dieses 



Strukturfelder und Kristallisationsbahiien in der Projektion ©' 

 der Sättigungsfläche der Verbindung G = 2NaCl • Cd CU. 



Gebietes in Strukturfelder (Fig. 7 a, 7 b). Zunächst wird ^' durch C 31' 

 in zwei Konzentrationsgebiete zerlegt. Bahnen, die in COM' be- 

 ginnen (wie 1, 2), stoßen auf die eutektischen Kurven OE^ oder 31 E^ 

 und endigen in E^. Dagegen verlaufen die von einem Punkte in 

 C V M' ausgehenden Bahnen nach der Umsetzungskurve V3I vuid 

 können dann nach E, oder nach E, gelangen. Denn durch die Tan- 

 gente G' M' werden in C' V 31' die Konzentrationsgebiete G' 31' C und 

 G' M' V bestimmt. Im Strukturfelde G' 31' C liegen die Ausgangspunkte 

 der Balmon von Lösungen (z. B. 3), die so reich an der Komponente C 

 sind, daß die Umsetzung von Kristallen C mit gesättigten Lösungen 

 zur Verbindung G längs F3f unvollständig bleibt und durch Über- 

 schreitung von 31 der Übergang von der Umsetzungskurve 

 V31 zur eutektischen Kurve ME^ vollzogen werden kann. Der 

 Kristallisationsond])unkt fällt also nacli E^. 



Die Punkte des anderen Strukturfcldes G' 31' V liaben die Eigen- 

 scliaft, daß die Verlängerungen ilirer Verbindungsgeraden mit G' auf 



