LiF.Biscii: Krist;\llisati(ii)s\orgniigc in tcniären Systemen usw. 



171 



die Projektion der Umsetzungskurve V M' treffen. Daher miis.sfii die 

 zufjeliöriijrn Balinen diese Kurve verla.s.sen und da.s Feld @ über- 

 schreiten. Sie stoßen dann auf die nach den eutektisehen Punkten 

 K, oder K, hinzielenden Grenzkurven dieses Feldes. 



Jetzt läßt sich (>' M' V noch weiter zerlegen durch den Schnitt 

 (f"7/in die Strukturfelder G'L'M' und G'L'V. 



Von besonderem Interesse ist das soeben erhaltene zwischen dem 

 Schnitt G'U, der Tangente G'M' und der Projektion der Umsetzungs- 

 kurve gelegene Konzentrationsgebiet G'L'M', das durch G' /C\ noch 



Fiff. 7 n. 



Krendp.6,7 



SniiktmCcMur und Kristallisationsbahnen in der Projektion £' der Sättigungs 

 fläclie der Komponente C=NaCl. 



einmal geteilt wird in G'L'Q' und G'Q'M'. Demi die ßainien, die von 

 Pimkten dieser beiden Struktiu-feldcr ausgehen (z. B. 5, 4), entsprechen 

 Kristallisationsvorgjingen, die bemerkenswert sind durch das \'fi- 

 schwinden der primär gebildeten Komponente C \ind iiir 

 Wiederauftreteu in einem eutektisehen (Jemenge. Auf die Ab- 

 scheidung von NaCl folgt die vollständige Umsetzung dieser Kristalle 

 mit Lösung zur Verbindung G= ^NaCl-CdCl,. Nach deren Ab.schluß 

 wird zunächst nur diese Verbindung weiter ausgeschieden, bis ein (Ge- 

 menge von: 



(j -h K Gl • Ldll, oder (1 -+■ Na Cl 



