Liebisch u. E.Vohtisch : Kristallisationsvorgänge in ternäien Systemen usw. II 435 



V. 



Betrachten wir zunächst ein tertiäres System mit einer einheit- 

 lichen Sättigungsfläche M der Mischkristalle (Fig. 7). Die von 

 dem Minimum auf der Schmelzkurve des binären Systems (B — C) 



Fig. 7. Projektion einer Isotherme V L\ 

 in einem ternären System mit einer Tal- 

 linie im Felde SR' . 



Fig. 8. Die von den Punkten b' , c', d' des 

 Feldes SR' ausgehenden Kristallisations- 

 bahnen. 



ausgehende Tallinie endige in dem Minimum m der eutektischen Kurve. 

 Dann stellen die Punkte ihrer Projektion 0' m die Konzentrationen von 

 Lösungen dar, in denen die Komponenten B, C in demselben Verhält- 

 nis enthalten sind wie in den Mischkristallen, mit denen sie im Gleich- 

 gewichte stehen. Daher erhält man im Felde SR' die zur Konzentration 

 m gehörige Konjugationsgerade m ' n als Verlängerung von Km , und 



