\l. l;.,,. n und O. SrfBw: Hhei die Oberfllehene'nnrfiic der Kristall. 909 



§ I- 

 Berechnung der Kapillai'konstänte für andere Flächen der 

 regu lä ren \ lk;i I i halogen Ide. 

 Von besonderem Interesse wäre die Berechnung der Oberflächen- 

 cnergic für die Oktaederfläche imii der Kristalle vom Typus NaCl, 

 weil man dadurch einsehen könnte, warum diese Fläche gewöhnlich 

 nicht vorkommt \her hierbei treten rechnerische Schwierigkeiten auf. 

 Da- hängt damit zusammen, daß die der Oktaederfläche parallelen Netz- 

 ebenen immer nur eine Art von Innen enthalten, so 'laß die gesamte 

 Ladung jede-, in der Netzebene liegenden Elementarparallelogramms 

 nicht Null i>t wie bei der Würfelfläche und vielen andern Flächen 

 infolgedessen konvergiert das VIadeli twsche Verfahren zur Berechnung 

 der elektrostatischen Anziehung nicht. Wir wollen daher vorläufig 

 von <\vr Behandlung der Oktaederflächen absehen. 



AI- Beispiel der Rechnung für eine andere fläche wählen wir 



die durch eine Würfelkante und eine Diagonale der Würfelfläche gehende 

 Ebene (011); diese enthält gleich viele positive und negative Ionen. 

 Der \ "ii dieser Khene begrenzte Halbkristall wird durch die Bedingung 



K -*- K ^ o 



gekennzeichnet Wir berechnen seine Wirkung auf die lonenreihe 



6 

 X = /) . u = O , ' = 1.2,3,...)' 



2 



Der Flächeninhalt de- Elementarparallelogramms der Grenzfläche i-t 

 offenbar 



I 

 Daher erhält man 



1 2 



p-2 8 |± 2 !' (ft+rt ■4-e+s)-''' 



\\ ir setzen nun 



X 



tui *' = -,' - s ±(i/.-w'i +' + ; ) 



V 2 p = . / 



So 



das ist das negative \ ierfache der elektrostatischen Wechselenergie 

 zwischen den beiden durch die Ebene (oi i) getrennten Halbkristallen 

 pro Flächeneinheit, wenn der Abstand benachbarter Innen gleich i und 



so« 



