440 LE PHÉNOMÈNE DE HALL 



trie du cristal. En effet, si l'on représente par r^, i\ et 

 i\ les résistances dans trois directions principales, qui 

 resteront encore des axes de symétrie dans le champ 

 magnétique, par exemple Oa, Oh, et Oc, on trouve que 

 la résistance dans une direction qui fait les angles a, j3, 

 y avec ces axes, peut être représentée par 



r = i\ cos'^ a -r r^ cos^ [3 + rg cos* y 

 d'où l'on déduit facilement qu'on peut obtenir r par la 

 construction d'un ellipsoïde sur les racines carrées des 

 conductibilités dans trois directions principales comme 

 axes. 



Les mesures semblent indiquer que non seulement 

 dans ces cas-ci, mais encore pour le groupe III les 

 résistances peuvent être trouvées à l'aide d'un ellip- 

 soïde. 



Méthode d'observation. La méthode est en tous 

 points analogue à celle que nous avons employée pour 

 la mesure de l'effet Hall; la seule différence consiste 

 en ce que maintenant les deux électrodes n'ont plus 

 été fixées sur deux faces latérales opposées du barreau, 

 mais à une distance mutuelle de 6 à 7 mm. sur une 

 même face latérale. On peut regarder cette méthode 

 comme une modification du pont de Thomson. Elle 

 donne des résultats très exacts pour l'augmentation de 

 la résistance ; pour la valeur absolue de larésistivité les 

 résultats sont moins exacts, surtout à cause de la diffi- 

 culté qu'il y a à mesurer exactement la distance des 

 deux électrodes. 



La résistance en dehors du champ magnétique. Pour 

 tous les barreaux la résistance a été mesurée au moins 

 quatre fois, avec les électrodes appuyées au moins une 

 fois contre chacune des faces latérales. Les résultats 

 ci-dessous sont des moyennes ; la résistivité r est expri- 



