= 220 — 
гв В шах И 6 вп выражають величину кристаллической свободной энергии 
по разнымъ векторамъ вокругъ каждой гомологической точки на плоскости 
сроставя. 1 
9. СлБдовательно, кристаллическая энеря— е,?— будетъ наименьшей: 
1) когда площадь ея развитя наименьшая возможная, 2) когда она со- 
отвфтствуетъ минимальной е,? и 3) когда векторы, отв$чаюцие максималь- 
ной величин® кристаллической энергии на данной плоскости сроставя, парал- 
лельны. 
Эти два послфднихь условя сказываются въ своеобразномъ оренти- 
рующемъ вмяви другЪъ на друга кристалловь 4 и Б, сростающихея подъ 
вмяшемъ энери е„?. 
Необходимо отмфтить еще другое явленте, которое вытекаетъь изъ 
векторлальнаго характера е,?. Два услошя ея минимума (параллельность 
векторовъ съ максимальной е,’и уменьшене площади соприкосновевя А и 
БВ) могуть не совпадать въ своемъ значени, и въ иныхъ слузаяхъ можеть 
быть достигнуто очень большое уменьшене е,’ при большой площади со- 
прикосновешя. Это будетъ наблюдаться тогда, когда, путемъ изм5ненай 
угла © (т. е. измфненй во взаимномъ расположении тБль 4 и Б), е›’ умень- 
шается больше, ч5мъ сокращенемъ площади ея развития ‘). 
10. Обратимся теперь кь прим5неню этихъ данныхъ къ наиболЪе про- 
стому случаю проявленя энергии е,?’ — къ явленямъ равнов$еля въ присут- 
ствш 06925 кристаллическихь веществь 4 и Б. Очевидно при одновремен- 
номъ участи въ пропессЪ многихъ тБаъ — С, дит. д.—явлеше усложняется, 
но обиий характеръ законностей при этомъ по существу не м$няется. 
При нахождени двухъ кристаллическихъ веществъ 4 и В въ системЪ 
кристаллизаши можно различить три случая: 
1) Одно вещество — 4 — выдфляется въ кристаллахъ (кристалли- 
зуется), тогда какъ другое — Б — находится въ этой средф въ 107060м8 
вид и во время процесса не можеть мЪняться (напримЪ$ръ, кристал- 
лизашя КУ (А) изъ воднаго раствора, въ присутетыи слюды (Б) ($ 3). 
Изъ двухъ присутствующихь твердыхъь Фазъ одна при процесеБ не 
мЪфняется. 
2) Оба тБла Аи В выдБляются въ кристаллахъ, но Б находится въ 
меньшемъ количеств$ и не выпадаетъ въ самостоятельныхъ кристаллахъ, а 
входить въ составъ кристалловъ А (кристаллизаця изоморфФныхъ смЪсей, 
1) Это явлене аналогично штриховкЪ поверхностной энергии. См. В. Вернадский, 
]. с. 1907, стр. 808 сл. Съ этой точки зрЪвшя чрезвычайно выгодно развите иглистыхъ кри- 
сталловъ, правильно сростающихся съ даннымъ тЪломъ. 
