Уменыпеше с,? точно также достигается уменьшенемъ площади ограничешя 
между Аи В. Эта поверхность должна быть плоской; однако, здЪеь нЪтъ 
полнаго оброставшя кристалла В. Получается правильное сростанще А и Б, 
— 225 — 
ограниченныхъ 706н0й плоскостию (напр. КУ на слюдЪ). 
И наконецьъ Ш-м типъ обнимаетъ случаи, когда процессъ кристалли- 
заши не зависить отъ характера энерми е,?, хотя эта энерля и существуетъ 
въ систем: граница между А и ВБ неправильная; получается наростане 
тфла А на В. 
18. ВсБ эти случай сведены въ слБдующей таблиц: 
МЕ 6 ее. 
Ес 2“ 
С С 
ие еее 
не еее 
а 
ее а 
ГР 
Ш Ее 26° 
Ее ое 4" 
Извфетия И. А. Н. 1908. 
А = простой полэдр. 
) 
группа П. 
А = простой помэдр. | 
группа Г. ) 
А = двойникъ проростаня | 
гро Е | 
А == дв. прор. | 
гр. П. 
А = дв. прор. | 
"р. Г. ) 
А = кристаллическое со- | 
браше 
во. т. 
А ==кр. собр. : 
вру. | 
А == р», собр. 
вре. 
А==параллельное сросташе 
тр 8: | 
А — паре @р.. { 
ре В | 
