— 295 — 



ше1пй б\, е^^ II ^2, такъ какъ пи одна пзъ этпхъ эперпп въ крпсталлЬ не 

 является постоянной, пбо нп одна пзъ нпхъ не является простой Фупкц1ей 

 массы вещества. 



9. Очевидно, въ этпхъ услов1яхъ хюль свободной эиергги будешь т1)ать 

 та пзъ формъ энерйи кристалла, которая является максимальной. Ею 

 будетъ обусловливаться кристаллизащя вещества при отсутств1п внЬн1- 

 пей свободной эперпп. Кашя бы пзм'Ьпен1я нп происходили въ другихъ Фор- 

 махъ эперпп, надо предположить, что раньше всего — при благопр1ятныхъ 

 услов1яхъ — произойдетъ выравнпвап1е эпергш разнаго характера, свой- 

 ствепныхъ кристаллу, т. е. е\ , е^, и е^ . Если бд > е^ , то процессъ крп- 

 сталлпзащп будетъ совершаться, главнымъ образомъ, насчетъ поверхностной 

 эперпп, всегда пепзб1шшо присутствующей въ данномъ тЬхЬ, и будетъ 

 обусловливаться ея свойствами. Въ такомъ случае поверхность кристалла — 

 вообще говоря (ср. § 1 1 ел.) — должна быть минимальная возможная, и процессъ 

 ея уменьшешя долженъ идти до т1ьхъ поръ, пока е^ не станеп^ равной е^ 

 Но такъ какъ е^ не является простой энерпей массы, а связана съ распо- 

 ложен1емъ векторовъ въ крпсталлахъ, то и по достил;еп1И состоян]я е^:=е^, 

 возможна дальнейшая работа въ систем!;, въ завпспмостп отъ того, как1я 

 огпошеп1Я существуютъ — при данныхъ обстоятельствахъ — между е\ и с^у 

 Эта работа мо/кеть вызвать повое уменьшен1е эперпп е^, если при работЬ на 

 счегь е^^ пли е^^, общая сумма е^ станетъ меньше уже раньше уменьшив- 

 шейся Сд- 



Отъ отношеп1я между Формами эперпп е^^ п е^^ зависптъ появление при 

 крпсталлизащп простыхъ многогранниковъ пли мпогограпнпковъ сложныхь, 

 главпымъ образомъ, двойпиковъ. Изучен1е этпхъ случаевъ важно для теор1п 

 двойниковой кристаллпзащп и будетъ мною разсмотр-Гшо въ другомъ мЬст!.. 

 Зд'Ьсь же надо заметить, что П2Ш присталлизак^ш — при отсутсшвш внтишй 

 свободной энергги — прок^ессъ будетъ идти на счешъ поверхностной энсрпи 

 лишь во томо случать, когда е^ >► е^ Только при этомъ услов1П поверхность 

 растущаго кристалла стремится къ шхпхшит'у. 



10. Если е^ > бд, то поверхностная энергия никакого участия въ крп- 

 сталлпзащи принимать не можетъ, п криста.1лъ будетъ давать явлеи1я роста, 

 которыя обусловливаются псключительпо внутренней эперпей его частицъ до 

 тЬхъ поръ, пока е^ >» е^. При этомъ будугь но.тучаться явления, также тЬспо 

 связанный съ двойпиковымъ сростап1емъ. Для жидкостей этотъ случай пе- 

 изб Ьжпо былъ бы случаемъ неустойчиваго равпов11с1я п въ крайпе^гь случаЬ 

 могъ бы дать примеры взрьшчатыхъ молекулярныхъ спстемъ (мпог1я пзъ 

 такъ пазываемыхъ ложныхъ равнов^с]й), по дли кристалловъ въ гЬхъ 



Изп-Ьтя П Л. Н. 1007. 



