— 298 — 



Наибол-Ье простой случай будетъ представлять поверхностная энерпя 

 плоскости тогда, когда она обладаетъ однимъ векторомъ, р']^зко отличаю- 

 щимся по своей величин'Ь отъ всЬхъ остальныхъ векторовъ данной плоскости. 

 На этомъ — наибол-йе простомъ случа'Ь — мы и остановимся. 



1 4. Если на данной плоскости есть одннъ векторъ, обладающ1й макси- 

 мальной (или минимальной) поверхностной энерпей, то положен1е его не мо- 

 жетъ быть безразличнымъ по отношен]ю къ симметр1и плоскости. Онъ не 

 можетъ наблюдаться на всЬхъ плоскостяхъ, перпендикулярныхъ къ Х^, Х^, Х^, 

 Л"* или къ 3, 4, 6 плоскостямъ симметрш. Сйдовательно, нельзя наблюдать 

 ниже указываемыхъ явленш (въ чистомъ вид'Ь) на такихъ плоскостяхъ, какъ, 

 напр., |001( квадратной с, {0001} гексагона.1ьной, |111| правильной и.ш 

 1 1001 правильной с. (кромЬ случаевъ — ЗХ'^ . оЬ^ и ОЗ' . 4^^ . с . 3-). 



Если перпендикулпрно къ данной плоскости лежитъ плоскость симмет- 

 рш, то этотъ векторъ долженъ быть или пара.1леленъ, или перпендикуляренъ 

 ея сл'Ьду (иначе онъ не бьыъ бы одннъ). Если плоскость принадлежить къ 

 зон'Ь Х^, то онъ будеть пара.!1леленъ или перпендикуляренъ къ Х^ (или со- 

 отв'Ьтственно другимъ высшнмъ осямъ симметрии — по той же причин'^). 



Т. к., какъ мы увидимъ, изъ свойствъ плоскости легко можно вид-бть 

 положете максимальнаго вектора ея поверхностной энергш, то эти выводьг 

 являются пров'Ьркой излагаемой ниже теорш. 



15. Обратимся теперь къ разсмотрйтю этихъ явлен1й. Будемъ раз- 

 сматривать тотъ с.1учай, когда е^ > е^ и когда н'Ьтъ притока вп'Ьшней сво- 

 бодной энерпи (§ 3). Въ такомъ с.зуча'Ь перегруппировка вещества при 

 кристаллизащи происходить насчетъ е^, а въ кристалл'Ь развиваются плос- 

 кости, положен1е и разм-бры которыхъ опред'Ьляются т-Ьмъ услов1емъ, чтобы 

 посл'Ь ихъ образовашя е^ была наименьшая. 



Однако, когда вся отвечающая этому услов1Ю работа произведена, въ 

 систем'Ь использована еще не вся свободная энерпя. Остается та свободная 

 энерпя, которая обусловливается вектор1альност1ю е^^ хотя бы е^ въ сред- 

 немъ и достигла наименьшей, возмояаюй при данныхъ услов1яхъ, ве.1ичины. 

 Если на какой нибудь плоскости съ такой энерпей бд, но нанравлешю АВ 

 (рис. 4), бд им'Ьетъ наибольшую величину, напр. е^'"'', а по направлешю ЕР 



на н'Ькоторыхъ плоскостяхъ энерпя е^ выражалась эллппснсомъ или кругомъ, хотя бы вся 

 поверхность была порядка выше 2-го. Этому противор'Ьчитъ явленхе роста, т. е. непзб'Ьжное 

 полное тождество вс^хъ параллельныхъ плоскостей кристаллическаго полхэдра. Сл'Ьдова- 

 тельно, никакое явлеше не можетъ быть выражено поверхностью, отд-Ьльныя сЬчешя которой 

 были бы кругами или эллипсисами, а въ то же время друпя имъ парадлельныя кривыми болйе 

 высокаго порядка. Всякое явление въ кристаллическомъ многогранник'^ должно выражаться 

 такой поверхностью, всп параллельныя сЬченхя которой идентичны. 



