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DANNI CAUSATI DAL TONCHIO DEL FAGIUOLO. 



Come già è stato detto, il nutrimento delle larve dell' Acan- 

 thoscelides obtectus è costituito in prima linea dai semi del Pha- 

 seolus vulgaris e del Phaseolus malti/Iorus nelle loro numerose 

 varietà. Quali danni esse larve inducano nei semi del prezioso 

 legume, è facile comprendere, quando si pensi che un sol seme 

 può essere attaccato in una sola generazione fin da venticinque 

 larve e che le generazioni si susseguono a brevi intervalli; in 

 tali casi la massa cotiledonare si riduce a un miscuglio di de- 

 trito finissimo che non ha più alcun valore alimentare. Ma anche 

 quando l' infezione è leggera, i fagiuoli, sia per la perdita di 

 peso, sia perchè devono essere venduti a prezzi bassissimi, data 

 la naturale riluttanza dei consumatori ad acquistare fagiuoli ton- 

 chiati, subiscono un ingente deprezzamento. Non è raro poi il 

 caso che i fagiuoli non possano essere affatto commerciati e che 

 i produttori sieno costretti a gettarne intere partite o a cibarne 

 gli animali da cortile. 



I danni nel Pisano ed in altre zone sono stati e sono cosi 

 gravi che non pochi agricoltori hanno dovuto rinunziare alla col- 

 tivazione del fagiuolo. 



Anche dal punto di vista riproduttivo i fagiuoli tonchiati 

 sono poco adatti alla semina. Da un semplice esperimento fatto 

 da me nella primavera di quest' anno, ho potuto constatare 

 quanto segue: 



stato dei fagiuoli 



Numero dei fagiuoli 

 seminati 



Numero dei fagiuoli 

 germinati 



Percentuale 

 di germinazione 



Integri 



/ da una generazione . . 

 •| \ da due generazioni . . 



1 ' da tre generazioni . . 



§ ] . 



Ci 1 da quattro generazioni . 



\ da cinque generazioni . 



50 

 50 

 50 

 50 

 50 

 50 



42 

 22 

 24 

 10 

 3 

 



84 "U 

 44 » 

 48 » 

 20 » 

 6 ™ 

 » 



Percentuale dei fagioli integri che hanno germinato 

 Percentuale media dei fagioli tonchiati che hanno germinato 

 Percentuale media dei fagiuoli tonchiati distrutti 



84% 

 23,6 °U 

 76,4 V, 



