— 337 — 



6o.TÉe или MCHte значительномъ количества заразъ, и появленье но- 

 выхъ мелкихъ крясталловъ происходить гораздо быстрее, ч'Ьмъ ростъ 

 уже выпавшихъ. Благодаря этому, получеше большихъ кристалловъ 

 изъ среднихъ растворовъ затруднено. При указанныхъ услов1яхъ 

 МНЕ удавалось получать кристаллы до 1,5 ст. длиной. 



2. Кристаллы, выпавшге изъ среднихъ растворовъ, почти всегда 

 растутъ на одной изъ плоскостей jOOlj и, благодаря пхъ чрезвы- 

 чайному развитпо, всегда им1&ютъ пластинчатый видъ. Этотъ пластин- 

 чатый habitus настолько характеренъ для кристалловЪ; полученныхъ 

 при вышеуказанныхъ услов1яхъ, что уже на основан1и только его 

 одного почти всегда безошибочно можно сказать, въ какомъ раствор'Е 

 былъ вырощенъ кристаллъ — въ кисломъ или въ нейтральномъ. 



3. Какъ на характерное свойство среднихъ растворовъ LijSO^ 

 слЕдуетъ указать на всползан1е по ст1Енкамъ кристаллизатора соли, 

 выкристаллизовавшейся у поверхности раствора. 



Повышенная температура не оказываетъ никакого вл1яшя на это 

 явлен1е. 



Наблюдешя, сд'Ёланныя при кристаллизацги кислыхъ расЫворовъ, 

 сводятся къ слЕдуюп],ему: 



a) Кристаллы выпадаютъ почти всегда отдельные и большей частью 

 изолированные. 



b) Ростъ выпавшихъ кристалловъ идетъ гораздо быстрее, ч^мъ по- 

 явлен1е новыхъ, а потому получен1е кристалловъ до 6 ст. длиной не 

 представляетъ большой трудности. 



c) Плоскостями роста, кром'Е площадокъ |001|, какъ это мы исклю- 

 чительно наблюдали на кристаллахъ, получевныхъ изъ нейтральныхъ 

 растворовъ, зд'Ьсь, нанротивъ, довольно часто бываютъ |100| и |110|, 

 что находится въ тесной связи съ общимъ habitus'oMb кристалловъ 

 изъ кислыхъ растворовъ. 



(1) Различ1е habitus'oBb заключается въ сл-Едующемъ: не существу етъ 

 чрезвычайнаго развит1я граней (001) и (001); нанротивъ того пло- 

 щадки (001), (001), (101), (101) развиты почти всегда въ равной 

 степени, ч^мъ и обусловленъ скорее призматичесшй, чЪмъ пластин- 

 чатый видъ этихъ кристалловъ. Благодаря этому происходить и то, 

 что въ кислыхъ растворахъ кристаллъ, ложась на дно кристаллиза- 

 тора одной изъ площадокъ |100| или |110|, продолжаетъ расти на 

 ней же, не опрокидываясь ни на одну изъ двухъ сосЬднихъ плоскостей 



