231 



Какъ выше указано, при пзы^р 



на 



'Р% кристаллы 



орхентировапы по осп X. Соотв-Ьтствепнымъ обр 

 монпческая проекщя были нанесены на плоскость 



Г 



2, перпендикулярную 



X. Оказалось вполн1& возможны-мъ непосредственно отъ этой плоскости 



Гиг. 4 



проскщн перейти къ обычному перспективному чертел:у, пере 



Ьтствующпмъ образомъ положете руководящей лин1Ц^ 11осл']&дн 



бр 



па черт. 4, гцЪ дана проекщя 



Т 



граней 



^ Руководящая лин1я представляеть собой пересЬчеи1С плос1;ости гномотшческоП 

 проекщц съ плоскостью перспектпвнаго чертежа, которая условно всегда сохравлстъ свое 

 подо;1;ен1е, отвЬчая повороту кристалла на 20° плЬво и 20° внигл,. При обычпоП проскщи 

 граней па (001) положсихе руководящей лпшп строго Фиксировано и опред-1аяется простглмъ 

 построен1емъ. При проеьщ'и же кристалла на плоскость (100), какъ это им1ло ы-Ьсто вт. 

 описываемомъ случае, положеше руководяи1,ей будеть иное и можегь быть иа1деио графи- 

 чески НЛП путеи-ь выч11слен1'я. Задача сводится къ простой перем^иЬ плоскости проекши 

 съ (001) на (К.Ю), посл-Ь чего полои;ен1е руководящей лин1и опред^^лится при обычномъ 

 рпд1ус± 5 сайт, отрезкам» на осп Г въ 135,5 тт., а яа оси 2— 2т шт. отъ цеотра. Этими 

 данными можно п'ользпвап.ся во всКхъ случаях^, когда кристаллы вытяпутм по оси Л. 



11и+,ст1я И. л. Н. 1Я15. 



