Kristallographie. Kristallstruktur. 



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wird in der Eeihe Metall — y Teilmetall — >- Nichtmetall immer kürzer. 

 J die entsprechende Bindung stärker. Das Valenzelektron soll in den 3 Fällen 

 1 an singulare Oberflächenstellen des „Atomkernes" geheftet sein. (Zeich- 

 ll ! nerisch durch eine Einsenknng der den Atomrest umschließenden Potential- 

 fläche dargestellt.) Das Valenzelektron kann hiernach nicht kräftefrei 

 | an der „Kernoberfläche" verschoben werden. Im Molekülverband senden 

 j die Valenzelektronen nicht nur an ihr eigenes (Mutter-) Atom Kraftlinien, 

 j sondern auch an andere zum gleichen Molekül gehörige Atome. Im Gas- 

 ! zustand treten Kraftlinien nicht aus dem Molekülbereich heraus, im fliis- 

 ■ sigen und mehr noch im festen Aggregatzustand erstreckt sich der Kraft- 

 | linienfluß von einem Valenzelektron auch auf „Atomkerne" von Nachbar- 

 molekülen. Diese „zwischenmolekularen" chemischen Kräfte sind mit den 

 Kohäsionskräften identisch. 



Im einheitlichen Metallkristall existieren Schubflächen, längs welcher 

 die Elektronen von beliebig kleinen elektrischen Kräften im elektrischen 

 Strom verschoben werden können. Es seien z. B. die (positiven) „Atom- 

 kerne" in einem einfach kubischen Gitter angeordnet, so können die 

 Valenzelektronen infolge ihres relativ großen Abstandes vom Mutteratome 

 1 sich in den Flächenzentren des Elementarkubus aufstellen. Jetzt wechseln 

 // (100) Elektronennetzebenen mit Atomnetzebenen ab. Verschiebt man 

 eine solche Elektronentafel in ihrer Ebene, so kommen Elektronenannähe- 

 rungen nur an positive „Atomkerne" vor. Namhafte Gegenkräfte treten 

 i nicht auf. Wegen der Identität von Valenz- und Kohäsionskraft sind die 

 elektrischen Schubebenen zugleich mechanische. 



In Kristallaggregaten können zwar Elektronen über die Grenzfläche 

 eines Kristallkornes auf entsprechenden Schubflächen hinaus und in die 

 Schubflächen eines anders orientierten Nachbarkornes hineingedrückt wer- 

 den, nicht aber ganze Kristallteile. 0. Mügge beobachtete Schubebenen 

 I an einheitlichen Goldkristallen // (111). ebenso Ewing und Rosenhain in 

 Schliffen anderer Metalle bei sehr kleinen deformierenden Kräften (Fließen 

 der Metalle). 



Innerhalb der Schubebene treten keine Gegenkräfte auf, sondern nur 

 an der verschobenen Kristalloberfläche gegen äußere Hindernisse. Die 



Z Fe 



minimale Fließkraft ist deshalb = K f = — U;Fg = Summe der 



i dv 



Grenzflächen der Kristallkörner im Aggregat iu der Volumeneinheit dv). 

 j Übereinstimmend zeigt das Experiment, daß die Körnigkeit eines Metalles 

 durch Kaltrecken oder Abschrecken vergrößert, durch Glühen verkleinert 

 t i und die minimale Fließkraft analog erhöht oder erniedrigt wird. 



Im Teil- oder Nichtmetall sind die Elektronen , so eng an den „Atom- 

 ! kern" gebunden, daß sie (wenigstens bei tiefer Temperatur) sich nicht auf 

 I Schubflächen einstellen können. Eine elektrische Verschiebung ist nur 

 ] dann möglich, wenn die Elektronen durch die ungeordnete thermische Be- 

 | wegung momentan in eine Schubfläche gedrängt werden. Die mechanische 

 Schiebung im Nichtmetall besteht aus einer Ortsveränderung der Valenz- 

 elektronen zugleich mit dem zugehörigen Molekül [Atom? Ref.]. Dabei 



