des Deformationsellipsoides der Kristallschiebung etc. 5 



den unbekannten Bogen y von o l entfernt. Das Verfahren 

 „A I" beruht auf einer von 0. Mügge (1. c.) angegebenen Relation. 

 Konstruiert man die zu F/ und F 2 ' in bezug auf K x sym- 

 metrischen Flächenpole F/ und F 2 ' des nicht deformierten 

 Kristallteiles, so schneiden sich die Zonenkreise [E\, FJ und 

 [F/, F 2 '] in einem Flächenpol Fo 2 und die Zonenkreise 

 [F J5 F 2 '] und [F 2 , F,'] in einem Flächenpole F o 2 derart, daß 

 der Zonenpol [Fa 2 , F o 2 ] identisch mit dem Grundzonenpol 

 g 2 ist. Alles weitere ergibt sich, wie bei „A" beschrieben. 



In Fig. 2 ist: F : = (110), F 2 = (121), F/ = (101), also 

 F/ = (101), EV = (321), also F 2 / = (321), K t = (121) und 

 o 2 = [012], während o" 15 K 2 und S ebenso wie die Richtungen 

 von a, b und c irrational sind. In der folgenden Tabelle 

 findet man einige graphisch abgeleitete Winkel und Längen 

 mit den berechneten verglichen. 



Tabelle für Lithiumsulfatmonohydrat (Sonderverfahren „AI"). 



Winkel und 

 Längen 



/s 

 = K 2 



K^<r 2 = (90 — cp) 



c 



1 i 



1 



s = a — c 



Graphisch er- 

 mittelt 



76i° 



13i° 



0.79 



1,27 



0,48 



Berechnet 



76° 42' 



13° 18' 



0,791 



1,261 



-' i 



0,473 



Das Sonderverfahren „AH". 



Diese Methode dient bei Schiebungen zweiter Art 

 zur Ableitung der zweiten Kreisschnittsebene K 2 , nachdem 

 auch hier wieder K 15 S, o i und © wie beim Verfahren „A a 

 festgelegt sind. Man findet K 2 auf Grund einer Relation, 

 die der im vorigen Kapitel benutzten analog ist, indem wir 

 statt zweier Flächenkippungen zwei Kantenkippungen ver- 

 wenden; da aber Drehungen von Kanten bei weitem nicht 

 so genau gemessen werden können wie die von Flächen, so 

 hat man die Positionen von drei Flächen, die überdies nicht 

 tautozonal sein dürfen, vor und nach der Deformation fest- 

 zustellen. Es mögen die drei Flächenpole F n F 2 und F 3 

 in F/, EV und Ey übergehen; ferner seien F/, F 2 ' und Ey 

 die drei zu EV, $V un(i *Y in bezug auf die Gleitrichtung 

 o x symmetrischen Flächenpole des nicht deformierten Kristall- 



