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lungo le curve t' 3 Y{ , s 3 Pl , m' 3 Y\ le quali hanno per proiezioni nel piano 

 delle concentazioni le curve indicate con le stesse lettere senza indici. 



Dopo la separazione primaria di B si può avere separazione secondaria 

 di BD, di BA e di BC. Presentano separazione di BD i miscugli del campo 

 SVQV, di BA i miscugli del campo u'Q'm'q', e di BC i miscugli del campo 

 v'Q'm'r'. Le relative superficie di cristallizzazione sono S^Q^ , u' 3 (^' i m 3 q' 2 , 

 VsQimWz, le quali si incontrano lungo le curve u 3 Q[ , y 3 Q 4 , m'&l, che, al 

 solito, hanno per proiezione sul triangolo delle concentrazioni le curve se- 

 gnate con le stesse lettere senza indici. 



Separazione secondaria di AD, come si vede, non si incontra nella se- 

 zione ARS. 



Rispetto alla cristallizzazione terziaria il triangolo base si divide nei 

 campi B'P'Q'S' , R'P'A , P'Q'A' , S'Q'A': in questi si hanno rispettiva- 

 mente le separazioni terziarie di CBD , ACD , ACB , ABD, cioè tutte le cri- 

 stallizzazioni terziarie possibili nel sistema quaternario ABCD. 



Nel campo R'P'Q'S' la separazione terziaria di CBD può aversi dopo 

 la secondaria di CD, di CB o di BD a seconda che il miscuglio è compreso 

 rispettivamente dentro R'PY , s'P'QV , y'Q'S'. Ad ognuno di questi campi 

 corrisponde una superficie di cristallizzazione terziaria rigata: al primo cor- 

 risponde una superficie elicoidale con generatrici discendenti dalla orizzon- 

 tale per s 3 alla retta P4R4 poggiate alla curva S3P4 ed alla verticale per R'; 

 al secondo una superficie cilindrica con le generatrici aventi la direzione 

 R'S' e discendenti dalla orizzontale per s' 3 e v 3 alla retta P4Q4 poggiandosi 

 sulle curve S3P4 e v' 3 Q^; al terzo una superficie elicoidale con le generatrici 

 che discendono dalla orizzontale per v 3 alla retta S 4 Q 4 poggiate sulla curva 

 v' 3 Q,' 4 e sulla verticale per S'. 



Nel campo R'P'A' la separazione terziaria di ACD si può avere dopo 

 la secondaria di CD 0 di AC a seconda che il miscuglio è compreso nel 

 campo R'PY 0 nel campo l'P'A.'. Ad ognuno di questi campi corrisponde 

 una superficie elicoidale di cristallizzazione terziaria con le generatrici che, 

 partendo dalla orizzontale per t 3 , discendono rispettivamente alle rette R4P4 

 e A4P4 poggiandosi da una parte alla curva ^PJ e dall'altra l' una alla 

 verticale per R' e l'altra alla verticale per A'. 



Nel campo P'Q'A' la separazione terziaria di ABC può aversi dopo la 

 secondaria di CB, di AC 0 di AB a seconda che il miscuglio si trova ri- 

 spettivamente in P'QW , P'AV , Q'A'w'. Ad ognuno di questi campi cor- 

 risponde una superficie di cristallizzazione terziaria rigata: al primo corri- 

 sponde una superficie cilindrica con generatrici orizzontali aventi la direzione 

 R' S', poggiate sulle curve m 3 P[ ed m 3 Q4 e discendenti da m 3 a PI Q 4 ; agli 

 altri due campi corrispondono due superficie elicoidali di cui le generatrici 

 discendono dalla retta A. 3 m' 3 alle rette A4 P4 e A' 4 Q 4 poggiandosi sulla ver- 

 ticale per A' e rispettivamente sulle curve m' 3 Y{ ed W3Q4. 



