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Infine nel campo S'Q'A' la separazione terziaria di ABD può aver luogo 

 dopo la secondaria di BD o di BA a seconda che il miscuglio si trova in 

 S'QY o in u'Q'À.'. A ciascuno di questi campi corrisponde una superficie 

 di cristallizzazione terziaria elicoidale di cui le generatrici discendono dalla 

 orizzontale per ù' 3 alle rette S 4 Q 4 ed A 4 Q 4 poggiate alla curva &sQ 4 da una 

 parte e dall'altra rispettivamente alle verticali per S' ed A'. 



La superficie di cristallizzazione quaternaria è, al solito, un piano che 

 in questo caso passa per P 4 e Q 4 e contiene le rette R 4 P 4 , P 4 Q 4 , Q 4 S 4 , 

 P*A 4 , Q 4 A 4 . 



Il diagramma dei tempi di arresto della temperatura in corrispondenza 

 dell'eutettico quaternario ha la forma di un tronco di piramide ottenuto a 

 mezzo di un piano tirato per il vertice A' della base e parallelo allo spigolo 

 R'S': la intersezione di questo piano con la faccia della piramide passante 

 per R'S' passa per le verticali per P' e Q'. 



Le proprietà delle superficie di cristallizzazione sopra indicate si pos- 

 sono sfruttare per descrivere, nella maniera già esposta in precedenza, le 

 curve singolari del piano delle concentrazioni, mentre il diagramma dei 

 tempi di arresto permette di determinare i punti P' e Q' e quindi anche 0, 

 l'eutettico quaternario. 



Non descriviamo, per brevità, le variazioni che si verificano nelle su- 

 perficie di cristallizzazione con lo spostarsi del piano ARS dallo spigolo BC 

 verso il vertice D. Solo vediamo quale è la forma che il solido di cristal- 

 lizzazione assume quando il piano sezione prende la posizione Aqù (fig. 1), 

 quando cioè taglia una sola superficie di separazione secondaria. 



Nel piano sezione si incontrano allora le curve: fin di intersezione con 

 la sola superficie di separazione secondaria intersecata, ad , §6 , ytì di inter- 

 sezione con le superficie coniche aventi per vertice D e per direttrici 0 2 0 

 0 3 0 , 0 4 0. 



Il solido di cristallizzazione prende l'aspetto della fig. 3. In questo 

 caso si ha solo cristallizzazione primaria di A e di D, e le relative super- 

 ficie sono Èi[fi' 2 n' 2 e q[ a[ n\ fx' z : mancano le separazioni primarie di C e di B. 



Dopo la separazione primaria di A si ha sempre separazione secondaria 

 di AD: la relativa superficie di cristallizzazione secondaria ha le genera- 

 trici che si abbassano dalla orizzontale per p£ fino alla orizzontale per n' 2 

 poggiandosi alla curva n\n\ ed alla verticale per A(. 



Dopo la separazione primaria di D si può invece avere separazione se- 

 condaria di DA, di DO e di DB. Presentano la prima i miscugli del campo 

 n'nptfu , la seconda i miscugli del campo «'/)'/?', la terza i miscugli del 

 campo /6'/SV. Le relative superficie di cristallizzazione sono /4 tt^ $ <9 4 « 3 , 

 e2«3^y 3 , G'aYzO'ifc . Mancano perciò le separazioni secondarie di AC di 

 AB e di CB. 



