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può aversi cristallizzazione secondaria di DA, di DB, di DC, a seconda che 

 i miscugli sono contenuti in TVP'/\ oppure in q't'P'm', oppure infine in 

 r'u'V'm'. Le superficie di cristallizzazione corrispondenti sono %ul~P[t'z, 

 q' 2 t' 3 'P' t m z ,r' 2 u 3 ? , i m s . Infine, dopo la cristallizzazione primaria di C, si ha 

 la secondaria o di CA, o di CD, o di CB, a seconda che i miscugli appar- 

 tengono relativamente ai campi SVQV , r'v'Qm' , p'x'Q'm'; le superficie di 

 cristallizzazione secondaria relative a questi campi sono S' 2 x\ Q 4 v 3 , r' z v' 3 Q4 m 3 , 



Rispetto alla separazione terziaria il triangolo delle concentrazioni può 

 considerarsi diviso nei campi R'H'PT , T'P'Q'S' , S'Q'H'R' , H'P'Q', nei 

 quali si hanno rispettivamente le separazioni terziarie di BDA , DCA , CBA , 

 BDC. Ognuno di questi campi si suddivide a sua volta in parecchi sotto- 

 campi in ciascuno dei quali la stessa separazione terziaria si presenta dopo 

 una secondaria diversa di una diversa coppia di componenti. Così in R'H'PT 

 la separazione terziaria di BDA può aversi dopo la secondaria di BA, 0 di 

 BD, 0 di DA a seconda che si considerano i miscugli rispettivamente dei 

 campi R'HV , s'H'PY , Z'PT: al primo di questi campi corrisponde una su- 

 perficie di cristallizzazione terziaria elicoidale con le generatrici che discen- 

 dono dalla orizzontale per s 3 alla retta R;H 4 poggiate alla verticale per R' 

 ed alla curva s^H,; al secondo corrisponde una superficie cilindrica a gene- 

 ratrici orizzontali con direzione RT discendenti dalla orizzontale s' 3 t' 3 alla 

 orizzontale H 4 P 4 e poggiate alle curve s' z H' 4 e al terzo corrisponde 



una superficie elicoidale a generatrici discendenti dalla orizzontale per t 3 

 alla retta T 4 P 4 e poggiate alla verticale per T ed alla curva t' 3 ?' A . Lo 

 stesso vale per i campi T'P'Q'S' , S'Q'H'R , Q'P'H', con la sola avvertenza 

 per Q'P'H' che le superficie di cristallizzazione terziaria sono qui tutte ci- 

 lindriche. 



La superficie di cristallizzazione quaternaria è un piano che passa per 

 i punti H4P4QI . 



Il diagramma dei tempi di arresto della temperatura in corrispondenza 

 della separazione dell'eutettico quaternario è un tronco di piramide a basi 

 parallele e la base superiore ha per proiezione sulla base inferiore — che 

 è il triangolo delle concentrazioni — precisamente il triangolo H'P'Q'. 



I punti H , P , Q (fig. 1) sono le proiezioni sul piano RST dello stesso 

 punto 0, fatte dai centri di proiezione B , D , C , in maniera che il punto 0 

 resta senz'altro individuato quando si conoscano i punti H , P e Q. 



Esaminiamo ora la sezione fyu. (fig. 1). In essa si riscontrano le sole 

 curve singolari 0£,00,07r, le quali rappresentano le intersezioni dei coni 

 aventi per direttrici le curve 00 3 , 00 2 , e per vertice il vertice A . 

 Il solido di cristallizzazione di questa sezione è quello rappresentato nella 



