22 
П. А. ЗЕМЯТЧЕНСКІЙ. 
въ растворѣ NaClOg. Вначалѣ оио выражается появленіемъ граней {lTl }, слабо развитыхъ 
и не измѣняющихъ кубическій габитусъ кристалловъ NaC10 3 . По мѣрѣ уменьшенія отно- 
шенія между количествомъ названныхъ солей nNaC10 3 , грани {111} постепенно становятся 
шире и достигаютъ такого развитія, что получается кубо-октаэдрическій габитусъ. При 
дальнѣйшемъ уменыпеніи указаннаго отношенія появляются наряду съ кубо-тетраэдриче- 
скими кристаллами и кристаллы тетраэдрическаго габитуса. Наконецъ, кристалловъ куби- 
ческаго и кубо-тетраэдрическаго габитуса вовсе не образуется; выдѣляющіеся кристаллы 
имѣютъ исключительно тетраэдрическій габитусъ. 
3) Какъ въ присутствіи Na 2 S0 4 , такъ и K 2 S0 4 въ коицѣ кристаллизаціи изъ раствора 
выпадаетъ тонко- волокнистая масса двойной соли сортвѣтствующихъ веществъ. 
При указанномъ общемъ сходствѣ кристаллизаціи NaC10 3 въ присутствіи K 2 S0 4 при- 
иадлежатъ и замѣтныя отличія: 
1) Начало вліянія K 2 S0 4 на кристаллизацію NaC10 3 замѣчается гораздо позже, нежели 
Na 2 S0 4 ; вообще для произведенія одного и того же эффекта требуется меньшее количество 
Na 2 S0 4 , нежели K 2 S0 4 . Такъ, напр., появленіе кубо-тетраэдрическаго габитуса кристал- 
ловъ NaClOg происходитъ при отношении (частичномъ) послѣдней соли къ безводной Na 2 S0 4 
87,7 : 1, а къ K 2 S0 4 при 77,1 : 1. Появленіе кристалловъ почти исключительно тетраэдри- 
ческаго габитуса при Na 2 S0 4 начинается съ частичнаго отношевія 85,5:1, а при K 2 S0 4 53,7:1. 
2) Въ присутствіи K 2 S0 4 наблюдается болѣе раннгй моментъ выпаденія волокнистой 
массы (двойной соли NaC10 3 и K 2 SOJ, именно, въ присутстіи Na 2 S0 4 .nH 2 0 выдѣленіе это 
наступило при отношеніи Na 2 S0 4 .nH 2 0 къ NaC10 3 какъ 1 :4,2 (отъ 4,11 до 4,24), или, 
если перечислить на безводную соль, то — въ отношеніи 1 : 8,786, что отвѣчаетъ частич- 
ному отношенію 1 : 11,7; въ присутствіи же K 2 S0 4 какъ 1 : 9 или, взявъ частичныя отно- 
шенія, 1 : 14,7. 
3) Образование (одновременно съ выдѣленіемъ волокнистой массы) кристалловъ окта- 
эдрическаіо габитуса вслѣдствіе почти одинаковаго развитія {lTl} и {111}, представляю- 
щихъ (вѣроятыо) смѣсь NaC10 3 и КСЮ 3 . 
4) При кристаллизаціи смѣси NaC10 3 съ K 2 S0 4 отсутствуютъ водныя соединенія, 
который столь рѣзко выражены въ присутствіи Na 2 S0 4 . 
5) Происходитъ обмѣнная реакція между NaC10 3 и K 2 S0 4 съ образованіемъ КСЮ 3 и 
Na 2 S0 4 ; при чемъ первый кристаллизуется одновременно съ NaC10 3 . 
6) Кристаллы NaC10 3 тетраэдрическаго габитуса, образовавшіеся въ присутствіи 
Na 2 S0 4 , отличаются отъ таковыхъ же, получающихся въ ирпсутствіи KJS0 4 . Первые 
вообще богаче Формами и разнробразнѣе по габитусу, чѣмъ послѣдніе; на нихъ, напр., 
1) пи разу не были замѣчены грани {111} и {hkO}; 2) первые по мѣрѣ возрастанія отно- 
сительнаго содержанія Na„SO t становятся все бѣднѣе и бѣднѣе комбинаціямп, такъ что въ 
послѣднихъ Фракціяхъ наблюдаются кристаллы {111} со слабо развитыми гранями {Ш}; 
тогда какъ въ присутствіи K 2 S0 4 кристаллы NaC10 3 до появленія волокнистой массы пред- 
ставляютъ комбинаціи {П1}, {110} и {100}. 
