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P. Niggli, 
J. E. van’t Hoff und J. J. van Laar vor, auf die wir hier nicht 
näher eingehen. 
Wir haben bis jetzt nur von verdünnten ungesättigten Lösungen 
gesprochen. Wir wollen nun von dieser Voraussetzung abstrahieren 
und die Gesamtheit der Erscheinungen betrachten , die in einem 
binären S} r stem , bestehend aus leichtflüchtiger Komponente und 
schwerflüchtigem Stoff bei hohen Temperaturen stattfinden. Diese 
Betrachtungsweise wurde begründet und ausgearbeitet von A. Smits 
(von 1903 — 1911, Zeitschr. f. phys. Chemie). Grundlage bildet die 
Baumdarstellung mit Druck (P), Temperatur (T) und Kon- 
a = Schmelztemperatur von A 
b = Schmelztemperatur von B 
« = kritische Temperatur von A 
ß = kritische Temperatur von B 
c = eutektischer Punkt zwischen A und B. 
zentration (X) als Achsen. Der Einfachheit halber benutzen 
wir nur die Projektionen auf die PX- und TX-Flächen. Die 
einfachste Darstellung wird durch die TX-Figur geliefert. 
Für den Fall, daß bei allen Konzentrationen die kritischen 
Erscheinungen an ungesättigten Lösungen auftreten, gilt folgendes 
Diagramm. 
ac zeigt uns die Erniedrigung des Schmelzpunktes von A 
durch Zusatz von B, cb ist der zweite Teil der Löslichkeitskurve 
von B in A, respektiv A in B. Die Löslichkeitskurve geht vom 
eutektischen Punkt bis zum hohen Schmelzpunkt von B. Unter- 
