Bemerkungen über die lineare Kraft wachsender Kristalle. 343 
zugefiihrt werden, groß genug sind und die Diffusion beziehungs- 
weise Zirkulation genügend ist, wird die Sättigungskonzentration 
an der unteren Kristallfläche, d. h. in der dünnen Flüssigkeits- 
schicht, auf welcher der Kristall ruht, erreicht werden können 
und der Kristall kann auf der Unterseite ebenso wachsen wie seit- 
lich. Das Fehlen der Zirkulation in dieser belasteten Schicht kann, 
und wird in der Tat für gewöhnlich, das Wachstum auf den Rand 
der Tragfläche beschränken. Es hat dann eventuell zur Folge, 
daß ein kleiner Außenwulst 1 neuen Wachstums an Stelle Über- 
wachsens der ganzen ursprünglichen Fläche entsteht, aber Wachs- 
tum wird trotzdem stattfinden hier wie anderswo. Je größer der 
Kristall ist, um so größer ist das auf der Berührungsfläche (oder 
dem Wulst) lastende G-ewicht, um so größer ist auch a fortiori 
die Schwierigkeit, daß die Sättigungskonzentration an irgend einer 
Stelle der belasteten Schicht erreicht werden kann und auf diese 
Weise Wachstum an der Unterseite veranlaßt 2 . 
1 Wie in unserer Arbeit von 1905 ausgeführt wurde, waren diese 
Tragwulste oft so dünn, daß die gewöhnlichen Methoden der Flächenaus- 
messung versagten. Damals war eine ungefähre Meßbarkeit möglich durch 
Schwärzen des Kristalls mit einer unlöslichen Tinte und Ausführung eines 
Abdruckes auf eine mit weißem Celluloid überzogene Glasplatte. Die der- 
artigen Abdrücke ergeben so feine Linien, daß sie sich schwer reprodu- 
zieren lassen und gestatten wohl nur eine roh angenäherte Bestimmung 
der Oberfläche, welche die Last trägt. 
2 Daß die Beschreibung der Erscheinungen, die Bruhns und Mecklen- 
burg beobachteten, sich in keiner wesentlichen, speziellen Form von hier 
mitgeteilten unterscheidet, möge durch die folgenden Auszüge aus ihrer 
Arbeit (1. c.) dargetan werden: 
(p. 97). „Die bisherige Auffassung über das Wachstum der Kristalle 
war die, daß ein Kristall ausschließlich durch Stoffanlagerung von außen 
her wächst. Ein Kristall kann also nur dort wachsen, wo Platz für 
Stoffzufuhr und für Ausdehnung vorhanden ist, wo er mit der Lösung in 
Berührung steht. Mit dieser Auffassung stehen sehr zahlreiche Erfahrungen 
und Beobachtungen im Einklänge.“ 
(p. 100). „Die unbelasteten Kristalle aber zeigen ein andauerndes 
Wachstum, und die Gewichtszunahme, welche bei den belasteten Kristallen 
ungefähr um so viel geringer ist, als weniger freie Fläche vorhanden war, 
weist auf ein ganz normales Verhalten hin, d. h., wo sich Substanz an- 
lagern kann, lagert sie sich an, wo nicht, da nicht.“ 
(p. 102). „Ein weiterer Umstand, der für die Bildung der Hohlflächen 
in Betracht kommt, ist der, daß der Kristall beim Laboratoriumsversuch in 
Glasgefäßen oder dergleichen seine Unterlage nicht direkt berührt, sondern 
schwimmt, und zwar schwimmt auf einer Wasser- oder Lösungsschicht, welche 
dem Glase und dem Kristall adhäriert. Das -Auftreten solcher Adhäsions- 
oder Adsorptionsschichten ist hinreichend bekannt; sie fehlen in der Tat 
nur da, wo die Kristalle mit ihrer Unterlage fest verwachsen sind. Dank 
der flüssigen Schicht zwischen Kristall und Unterlage kann nun die über- 
sättigte Lösung, wenn die Diffusionsgeschwindigkeit in der Kapillarschicht 
wohl auch kleiner als in der freien Flüssigkeit ist, unter den Kristall 
