508 Angewandte Krystallographie. 
§. 792 . 
Die tetragonale Pyramide 7nP zu modelliren. 
Für ä»P wird = 1 , also, 
:S{EL)z=2iEH) = t 
2{EU) = \EU 
Man schneide also einen Modellklotz , in welchem 
Seitenkante : Endkante — ma : 1 
ziehe die Diagonalen auf den Endflächen sowohl als 
auf den Seitenflächen (ähnl. Fig. 821), wähle die er- 
steren zu Ansatz-, die anderen zu Bahnlinien, führe 
von jeder Endfläche vier Schnitte, welche von der 
ersten Endfläche aus nur angelegt, und also nicht 
ganz bis zu den Kreuzungspuncten der Bahnlinien 
durchgefährt werden dürfen, während sie von der 
zweiten Endfläche aus gleich etwas über diese Kreu- 
zungspuncte fortzusetzen sind, vollende hierauf die 
angelegten Schnitte, so resultirt die Pyramide mV. 
Zusatz. Modellirung in der Maschine. Man 
spanne das Prisma in den tetragonalen Rahmen , gebe 
der Säge die Neigung w, bestimmt durch iangio-=^ 
ma^2, centrire sie auf der oberen Endfläche des Mo- 
dellklotzes, stelle den Index successiv auf die vier 
Puncte 1, und führe die Schnitte wie vorher. 
§. 793. 
Das tetragonale Sphenoid 
»iP 
"ä“ 
zu modelliren. 
Man führe die Construction des vorhergehenden §- 
nur zur Hälfte aus, ziehe also die Diagonalen entwe' 
der nur für die Puncte a, oder nur für die Puncte bf 
Fig. 821, führe auch nur die so bestimmten vi®* 
Schnitte aus, indem man wiederum die Schnitte ' 
der einen Endfläche aus nur anlegt, von der n®' 
dem sogleicli durchführt, so resultirt das verlangt® 
Sphenoid. 
